| 品牌 | 昊量光電 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
c-sense硅壓阻自傳感懸臂梁
c-sense硅壓阻自傳感懸臂梁啟動(dòng)套件的核心元件是前置放大器。它提供了一個(gè)基于惠斯通電橋的傳感器，具有穩(wěn)定和低噪聲的參考電壓，并放大了電橋輸出信號(hào)。c-sense自傳感懸臂一般可用于放大小傳感器電壓。這個(gè)信號(hào)被連接到一個(gè)數(shù)據(jù)讀出裝置（鎖相放大器，原子力顯微鏡控制器等）。內(nèi)部固定參考電壓為2.048 V，但可以通過(guò)跳線切換到外部橋接電源。總增益設(shè)為G=100，高帶寬為2.5 MHz。輸出信號(hào)中的失調(diào)電壓可以通過(guò)添加外部直流偏置或手動(dòng)使用板載電位器進(jìn)行校正。下面的圖片顯示了自傳感入門套件的內(nèi)容。
c-sense自傳感懸臂啟動(dòng)套件包括：
1)連接到扁平柔性電纜的計(jì)數(shù)器部分PCB
2)前置放大器
3)輸出電纜
4)兩個(gè)懸臂箱，每個(gè)懸臂箱有10個(gè)懸臂
Self-Sensing Cantilever Probes 自傳感懸臂探針
硅壓阻自傳感懸臂梁在原子力顯微鏡（AFM）、納米探測(cè)、扭矩磁強(qiáng)計(jì)或其他傳感應(yīng)用（如氣體動(dòng)力學(xué)和介質(zhì)特性）領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了全新的應(yīng)用。
這些懸臂梁展示了一個(gè)集成的壓阻惠斯頓電橋，可以直接測(cè)量懸臂梁的電偏轉(zhuǎn)。這種讀出技術(shù)消除了以前需要的消耗空間的光學(xué)激光讀出。
自傳感技術(shù)可以輕松無(wú)縫地與各種儀器（例如SEM， TEM，以及許多其他測(cè)量系統(tǒng)）集成。懸臂芯片通過(guò)一個(gè)小連接器連接到一個(gè)小PCB上，用于快速懸臂交換。
標(biāo)準(zhǔn)SCL自傳感懸臂梁的半徑小于15 nm，可用于各種共振頻率和彈簧常數(shù)。長(zhǎng)壽命的scd懸臂也是可用的。
Self-Sensing Si-Tip Cantilevers 自傳感硅尖懸臂梁
標(biāo)準(zhǔn)自傳感懸臂，帶有鋒利的硅尖，用于AFM顯微鏡，力傳感等，在接觸或非接觸模式下。
Self-Sensing Tipless Cantilevers 無(wú)自傳感懸臂梁
適用于各種應(yīng)用，如高靈敏度氣體檢測(cè)，扭矩磁強(qiáng)計(jì)，力傳感等。
Self-Sensing SCD-Tip Cantilevers 自傳感SCD懸臂梁
具有堅(jiān)硬和長(zhǎng)壽命單晶金剛石的自傳感懸臂梁，用于AFM，高縱橫比樣品等。
三層MEMS懸臂技術(shù)
新型“自感測(cè)"懸臂梁，內(nèi)置電子和驅(qū)動(dòng)機(jī)制將電子和驅(qū)動(dòng)機(jī)制集成到諸如 MEMS 懸臂梁之類的微機(jī)械裝置中，被廣泛用于將施加的力轉(zhuǎn)換為可電測(cè)的信號(hào)。在原子力顯微鏡（AFM）中采用這種“自感測(cè)"懸臂梁，可以省去通過(guò)懸臂梁背面反射激光進(jìn)行光學(xué)讀取。這為那些在待測(cè)樣品上方?jīng)]有足夠空間安裝光學(xué)讀取模塊，或者樣品必須浸入甚至不透明液體（如生物樣品）中的新應(yīng)用開(kāi)辟了道路。
在大多數(shù)傳統(tǒng) AFM 中，c-sense懸臂梁的偏轉(zhuǎn)是通過(guò)光學(xué)光束偏轉(zhuǎn)法檢測(cè)的，即激光束從懸臂梁背面反射后聚焦在四象限光電二極管上。另一種方法是通過(guò)集成的壓阻式傳感器測(cè)量懸臂梁的彎曲。通過(guò)惠斯通電橋測(cè)量傳感器的電阻，可實(shí)現(xiàn)高靈敏度。由于傳感器與懸臂梁中性軸的距離增大，自感知懸臂梁的偏轉(zhuǎn)靈敏度隨其厚度增加而增大。然而，懸臂梁的彈簧常數(shù)隨其厚度的增加而顯著增大。
這些新型懸臂梁的設(shè)計(jì)采用了由彈性軟聚合物芯材被兩層硬薄膜包裹而成的結(jié)構(gòu)。這種獲得專力的新懸臂梁概念為優(yōu)化 MEMS 懸臂梁的性能提供了更多的自由度。這與標(biāo)準(zhǔn)的硅或氮化硅自感測(cè)懸臂梁相比，三明治結(jié)構(gòu)的非常顯著優(yōu)勢(shì)在于：
• 對(duì)于給定的共振頻率 f0，三明治結(jié)構(gòu)的力靈敏度比硅懸臂梁高 10 倍。
• 將聚合物用作原子力顯微鏡懸臂梁的核心，可提高其帶寬 f0/Q（Q 為機(jī)械品質(zhì)因數(shù)）。在真空成像時(shí)，由于沒(méi)有空氣阻尼，這一優(yōu)勢(shì)尤為明顯。即使成像速度比硅或氮化硅自感測(cè)懸臂梁快 10 倍，也能實(shí)現(xiàn)出色的分辨率。
• 所有傳感元件和電氣連接都密封在 MEMS 設(shè)備內(nèi)部，這使得三明治結(jié)構(gòu)的器件非常適合在液體中進(jìn)行測(cè)量——即使是在不透明、導(dǎo)電或化學(xué)環(huán)境惡劣的情況下。
三明治結(jié)構(gòu)技術(shù)自感測(cè)懸臂梁。例如，適用于液體的膜型表面應(yīng)力傳感器或力傳感器，其分辨率可達(dá)納牛級(jí)。有關(guān)詳細(xì)描述，請(qǐng)參閱納希德·侯賽尼等人所著的《用于高靈敏度流體兼容 MEMS 設(shè)備的混合聚合物/陶瓷/半導(dǎo)體制造平臺(tái)，集成電子器件密封》（arxiv_2307.05221）。
Standard TriLayer Cantilevers標(biāo)準(zhǔn)三層懸臂梁
自傳感三層懸臂梁具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)與氮化硅薄膜和聚合物芯-可在不同的尺寸。
KPFM / c-AFM Trilayer Cantilevers KPFM / c-AFM三層懸臂梁
自傳感三層懸臂梁具有導(dǎo)電涂層，易于在KPFM或c-AFM測(cè)量中使用。
Quantum Cryogenic Trilayer Cantilevers 量子低溫三層懸臂梁
為低溫量子研究?jī)?yōu)化的自傳感三層懸臂梁-具有三角形設(shè)計(jì)，集成鉑跡，用于在低溫下穩(wěn)定，高精度地探測(cè)量子相干性，隧道和自旋動(dòng)力學(xué)。
規(guī)格表
| Dimensions (l x w x h) | |
| pre-amp PCB | 48 x 28 x 1.6 mm |
| Pre-amp PCB incl. connectors | 52 x 28 x 7 mm |
| Enclosure | 46 x 36 x 18 mm |
| Electrical Specifications | |
| Operation voltage Vs | +/-5…+/-15 V |
| Gain, voltage amplification | 100x |
| Bandwidth | f3dB = 2,5 MHz @ 2mVpp sine input signal |
| Power consumption | 340 mW @ Vs = +/-10V (IBias = +/-17 mA) 160 mW @ Vs = +/-5V (IBias = +/-16 mA) |
| Total offset adjustment range | (Vs-) +1.4 V to (Vs+) -1.0 V |
| manual onboard offset range | +/-5V |
| Output impedance | 50 Ohm |
| Input impedance | 3 GΩ || 6 pF |
| Wheatstone bridge supply voltage (external input possible) | 2,048 V (voltage reference) |
| Slewrate output stage | 27 V/µs |
| Connectors and cables | |
| Input connector (cantilever side) | FFC 8 Pin |
| Output connector | Header Connector 8 Pin |
| Input FFC cable | FFC, 8 pol, length=152mm |
| Output cable | shielded flexible cable, l=1m, open ends |
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